145,00 EGP
درجة صناعية
لا توجد مراجعات بعد.
لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني. الحقول الإلزامية مشار إليها بـ *
مراجعتك *
الاسم *
البريد الإلكتروني *
احفظ اسمي، بريدي الإلكتروني، والموقع الإلكتروني في هذا المتصفح لاستخدامها المرة المقبلة في تعليقي.
30j127 Description This is 600V, 200A, IGBT. The IGBT is insulated-gate bipolar transistor. PDP sustain, energy recovery and separation circuits
FS3KM18A / MOSFET / TO220 / 2 PIECES (qzty)
60R580P
BJT 2SA1013 TO92 A1013 TO-92 Bipolar Transistors – BJT Transistor PNP 160V 1A 50PCS Transistors
2SA1941 PNP Bipolar Transistor
Part Number: 2SD2499 Function: 600V, 6A, NPN Transistor Package: TO-3P, 2-16E3A Type Manufacturer: Toshiba Description This is 600V, 6A, Silicon
اسم المستخدم أو البريد الإلكتروني *مطلوبة
كلمة السر *مطلوبة
دخول
فقدت كلمة المرور الخاصة بك؟ تذكرني
لا يوجد حساب بعد؟
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.