2,00 EGP
General Purpose BJT Transistors
لا توجد مراجعات بعد.
لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني. الحقول الإلزامية مشار إليها بـ *
مراجعتك *
الاسم *
البريد الإلكتروني *
احفظ اسمي، بريدي الإلكتروني، والموقع الإلكتروني في هذا المتصفح لاستخدامها المرة المقبلة في تعليقي.
Quick Overview: The voltage ratio at the emitter and collector will be a maximum of 80V. The maximum current ratio
30j127 Description This is 600V, 200A, IGBT. The IGBT is insulated-gate bipolar transistor. PDP sustain, energy recovery and separation circuits
FS3KM18A / MOSFET / TO220 / 2 PIECES (qzty)
5pcs/lot FQPF7N60 FQPF7N60C SSS7N60A 7N60 Inline FET
60R580P
A1694 transistor pinout
2SC5198
اسم المستخدم أو البريد الإلكتروني *مطلوبة
كلمة السر *مطلوبة
دخول
فقدت كلمة المرور الخاصة بك؟ تذكرني
لا يوجد حساب بعد؟
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.