20,00 EGP
لا توجد مراجعات بعد.
لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني. الحقول الإلزامية مشار إليها بـ *
مراجعتك *
الاسم *
البريد الإلكتروني *
احفظ اسمي، بريدي الإلكتروني، والموقع الإلكتروني في هذا المتصفح لاستخدامها المرة المقبلة في تعليقي.
Quick Overview: The voltage ratio at the emitter and collector will be a maximum of 80V. The maximum current ratio
Part Number: A1015 Function: -150mA, -50V, PNP General Purpose Transistor Package: TO-92 Type Manufacturer: Toshiba
2sc828 transistor Description The C828 is 25V, 50mA, NPN Epitaxial Planar Transistor. Features 1. Small Signal Amlifier 2. High Hfe
RJP63K2 SMD
30j127 Description This is 600V, 200A, IGBT. The IGBT is insulated-gate bipolar transistor. PDP sustain, energy recovery and separation circuits
5pcs/lot FQPF7N60 FQPF7N60C SSS7N60A 7N60 Inline FET
60R580P
Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO3 Manufacturer part number:2N3055 SPECIFICATION Type of transistor NPN Polarisation bipolar Collector-emitter voltage 60V
اسم المستخدم أو البريد الإلكتروني *مطلوبة
كلمة السر *مطلوبة
دخول
فقدت كلمة المرور الخاصة بك؟ تذكرني
لا يوجد حساب بعد؟
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.