90,00 EGP
لا توجد مراجعات بعد.
لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني. الحقول الإلزامية مشار إليها بـ *
مراجعتك *
الاسم *
البريد الإلكتروني *
احفظ اسمي، بريدي الإلكتروني، والموقع الإلكتروني في هذا المتصفح لاستخدامها المرة المقبلة في تعليقي.
General Purpose BJT Transistors
فى حالة عدم الدفع المسبق يتم الدفع مسبقا 12% من قيمة السلعة لتفادى عملية عدم الاستلام والجدية فى الشراء والحجز المسبق وتحسب كالاتى ثمن السلعة الفعلى × 12 ÷ 100 Elaraby01@instapay فودافون كاش 01004682935
Quick Overview: The voltage ratio at the emitter and collector will be a maximum of 80V. The maximum current ratio
2sc828 transistor Description The C828 is 25V, 50mA, NPN Epitaxial Planar Transistor. Features 1. Small Signal Amlifier 2. High Hfe
Features Low Voltage, High Current PNP Transistor Continuous Collector current (IC) is 500mA Collector-Emitter voltage (VCEO) is -25 V Collector-Base
30j127 Description This is 600V, 200A, IGBT. The IGBT is insulated-gate bipolar transistor. PDP sustain, energy recovery and separation circuits
5pcs/lot FQPF7N60 FQPF7N60C SSS7N60A 7N60 Inline FET
BJT 2SA1013 TO92 A1013 TO-92 Bipolar Transistors – BJT Transistor PNP 160V 1A 50PCS Transistors
اسم المستخدم أو البريد الإلكتروني *مطلوبة
كلمة السر *مطلوبة
دخول
فقدت كلمة المرور الخاصة بك؟ تذكرني
لا يوجد حساب بعد؟
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.