25,00 EGP
غير متوفر في المخزون
لا توجد مراجعات بعد.
لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني. الحقول الإلزامية مشار إليها بـ *
مراجعتك *
الاسم *
البريد الإلكتروني *
احفظ اسمي، بريدي الإلكتروني، والموقع الإلكتروني في هذا المتصفح لاستخدامها المرة المقبلة في تعليقي.
فى حالة عدم الدفع المسبق يتم الدفع مسبقا 12% من قيمة السلعة لتفادى عملية عدم الاستلام والجدية فى الشراء والحجز المسبق وتحسب كالاتى ثمن السلعة الفعلى × 12 ÷ 100 Elaraby01@instapay فودافون كاش 01004682935
Quick Overview: The voltage ratio at the emitter and collector will be a maximum of 80V. The maximum current ratio
30j127 Description This is 600V, 200A, IGBT. The IGBT is insulated-gate bipolar transistor. PDP sustain, energy recovery and separation circuits
5pcs/lot FQPF7N60 FQPF7N60C SSS7N60A 7N60 Inline FET
BJT 2SA1013 TO92 A1013 TO-92 Bipolar Transistors – BJT Transistor PNP 160V 1A 50PCS Transistors
2SC3807 NEW BEST OFFER TRANS GP BJT NPN 3-PIN T
Part Number: 2SD2499 Function: 600V, 6A, NPN Transistor Package: TO-3P, 2-16E3A Type Manufacturer: Toshiba Description This is 600V, 6A, Silicon
اسم المستخدم أو البريد الإلكتروني *مطلوبة
كلمة السر *مطلوبة
دخول
فقدت كلمة المرور الخاصة بك؟ تذكرني
لا يوجد حساب بعد؟
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.