20,00 EGP
لا توجد مراجعات بعد.
لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني. الحقول الإلزامية مشار إليها بـ *
مراجعتك *
الاسم *
البريد الإلكتروني *
احفظ اسمي، بريدي الإلكتروني، والموقع الإلكتروني في هذا المتصفح لاستخدامها المرة المقبلة في تعليقي.
Quick Overview: The voltage ratio at the emitter and collector will be a maximum of 80V. The maximum current ratio
2SC1815 Datasheet – 50V, 150mA, NPN Transistor – Toshiba
2sc828 transistor Description The C828 is 25V, 50mA, NPN Epitaxial Planar Transistor. Features 1. Small Signal Amlifier 2. High Hfe
30j127 Description This is 600V, 200A, IGBT. The IGBT is insulated-gate bipolar transistor. PDP sustain, energy recovery and separation circuits
Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO3 Manufacturer part number:2N3055 SPECIFICATION Type of transistor NPN Polarisation bipolar Collector-emitter voltage 60V
A1694 transistor pinout
2SC5198
2SD2498 TRANSISTOR TO-3PF D2498
اسم المستخدم أو البريد الإلكتروني *مطلوبة
كلمة السر *مطلوبة
دخول
فقدت كلمة المرور الخاصة بك؟ تذكرني
لا يوجد حساب بعد؟
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.