30,00 EGP
لا توجد مراجعات بعد.
لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني. الحقول الإلزامية مشار إليها بـ *
مراجعتك *
الاسم *
البريد الإلكتروني *
احفظ اسمي، بريدي الإلكتروني، والموقع الإلكتروني في هذا المتصفح لاستخدامها المرة المقبلة في تعليقي.
General Purpose BJT Transistors
Features Low Voltage, High Current PNP Transistor Continuous Collector current (IC) is 500mA Collector-Emitter voltage (VCEO) is -25 V Collector-Base
30j127 Description This is 600V, 200A, IGBT. The IGBT is insulated-gate bipolar transistor. PDP sustain, energy recovery and separation circuits
5pcs/lot FQPF7N60 FQPF7N60C SSS7N60A 7N60 Inline FET
Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO3 Manufacturer part number:2N3055 SPECIFICATION Type of transistor NPN Polarisation bipolar Collector-emitter voltage 60V
2SD2498 TRANSISTOR TO-3PF D2498
Part Number: 2SD2499 Function: 600V, 6A, NPN Transistor Package: TO-3P, 2-16E3A Type Manufacturer: Toshiba Description This is 600V, 6A, Silicon
اسم المستخدم أو البريد الإلكتروني *مطلوبة
كلمة السر *مطلوبة
دخول
فقدت كلمة المرور الخاصة بك؟ تذكرني
لا يوجد حساب بعد؟
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.