عرض الشريط الجانبي
تظهر 9 12 18 24
مقارنة

A1015 transistor

,
2 EGP
Part Number: A1015 Function: -150mA, -50V, PNP General Purpose Transistor Package: TO-92 Type Manufacturer: Toshiba
اضافة الى المفضلة
إضافة إلى السلة
عرض سريع
مقارنة

2sc828 transistor

,
2 EGP
2sc828 transistor Description The C828 is 25V, 50mA, NPN Epitaxial Planar Transistor. Features 1. Small Signal Amlifier 2. High Hfe
اضافة الى المفضلة
إضافة إلى السلة
عرض سريع
مقارنة

S8550 Transistor

,
2 EGP
Features Low Voltage, High Current PNP Transistor Continuous Collector current (IC) is 500mA Collector-Emitter voltage (VCEO) is -25 V Collector-Base
اضافة الى المفضلة
إضافة إلى السلة
عرض سريع
مقارنة

jivith BTA16-600B 16amp FET Transistor

,
20 EGP
jivith BTA16-600B 16amp FET Transistor
اضافة الى المفضلة
إضافة إلى السلة
عرض سريع
مقارنة

30F124

,
50 EGP
Applications : Plasma display panels IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor IGBTs combine the MOSFET advantage of high input impedance with the bipolar transistor advantage
اضافة الى المفضلة
إضافة إلى السلة
عرض سريع
مقارنة

RJP30H2A

,
35 EGP
RJP30H2A TO-263 RJP30H2 Liquid crystal plasma field effect tube
اضافة الى المفضلة
إضافة إلى السلة
عرض سريع
مقارنة

RJP63K2 SMD

,
65 EGP
RJP63K2 SMD
اضافة الى المفضلة
إضافة إلى السلة
عرض سريع
غير متوفر
مقارنة

30j127

,
25 EGP
30j127 Description This is 600V, 200A, IGBT. The IGBT is insulated-gate bipolar transistor. PDP sustain, energy recovery and separation circuits
اضافة الى المفضلة
قراءة المزيد
عرض سريع
مقارنة

FS3KM18A

,
30 EGP
FS3KM18A / MOSFET / TO220 / 2 PIECES (qzty)
اضافة الى المفضلة
إضافة إلى السلة
عرض سريع
مقارنة

7N60C

,
15 EGP
5pcs/lot FQPF7N60 FQPF7N60C SSS7N60A 7N60 Inline FET
اضافة الى المفضلة
إضافة إلى السلة
عرض سريع
مقارنة

5N60C

, ,
25 EGP
5N60C art number : 5N60C, FQP5N60C, FQPF5N60C Functions : 600V, 4.5A, N-Channel MOSFET Package information : TO-220, TO-220F Type Manufacturer : Fairchild
اضافة الى المفضلة
إضافة إلى السلة
عرض سريع
مقارنة

60R580P

,
15 EGP
60R580P
اضافة الى المفضلة
إضافة إلى السلة
عرض سريع