15,00 EGP
لا توجد مراجعات بعد.
لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني. الحقول الإلزامية مشار إليها بـ *
مراجعتك *
الاسم *
البريد الإلكتروني *
احفظ اسمي، بريدي الإلكتروني، والموقع الإلكتروني في هذا المتصفح لاستخدامها المرة المقبلة في تعليقي.
Quick Overview: The voltage ratio at the emitter and collector will be a maximum of 80V. The maximum current ratio
2sc828 transistor Description The C828 is 25V, 50mA, NPN Epitaxial Planar Transistor. Features 1. Small Signal Amlifier 2. High Hfe
Features Low Voltage, High Current PNP Transistor Continuous Collector current (IC) is 500mA Collector-Emitter voltage (VCEO) is -25 V Collector-Base
30j127 Description This is 600V, 200A, IGBT. The IGBT is insulated-gate bipolar transistor. PDP sustain, energy recovery and separation circuits
5pcs/lot FQPF7N60 FQPF7N60C SSS7N60A 7N60 Inline FET
2SA1941 PNP Bipolar Transistor
2SC3807 NEW BEST OFFER TRANS GP BJT NPN 3-PIN T
Part Number: 2SD2499 Function: 600V, 6A, NPN Transistor Package: TO-3P, 2-16E3A Type Manufacturer: Toshiba Description This is 600V, 6A, Silicon
اسم المستخدم أو البريد الإلكتروني *مطلوبة
كلمة السر *مطلوبة
دخول
فقدت كلمة المرور الخاصة بك؟ تذكرني
لا يوجد حساب بعد؟
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.