2,00 EGP
General Purpose BJT Transistors
لا توجد مراجعات بعد.
لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني. الحقول الإلزامية مشار إليها بـ *
مراجعتك *
الاسم *
البريد الإلكتروني *
احفظ اسمي، بريدي الإلكتروني، والموقع الإلكتروني في هذا المتصفح لاستخدامها المرة المقبلة في تعليقي.
Quick Overview: The voltage ratio at the emitter and collector will be a maximum of 80V. The maximum current ratio
Part Number: A1015 Function: -150mA, -50V, PNP General Purpose Transistor Package: TO-92 Type Manufacturer: Toshiba
2sc828 transistor Description The C828 is 25V, 50mA, NPN Epitaxial Planar Transistor. Features 1. Small Signal Amlifier 2. High Hfe
Features Low Voltage, High Current PNP Transistor Continuous Collector current (IC) is 500mA Collector-Emitter voltage (VCEO) is -25 V Collector-Base
30j127 Description This is 600V, 200A, IGBT. The IGBT is insulated-gate bipolar transistor. PDP sustain, energy recovery and separation circuits
5N60C art number : 5N60C, FQP5N60C, FQPF5N60C Functions : 600V, 4.5A, N-Channel MOSFET Package information : TO-220, TO-220F Type Manufacturer : Fairchild
2SA1941 PNP Bipolar Transistor
Aexit 2SC5296 NPN Transistors Triple Diffused Planar Silicon Transistor 1500V MOSFET Transistors 8A 60W Brand: Aexit Currently unavailable. Product Name
اسم المستخدم أو البريد الإلكتروني *مطلوبة
كلمة السر *مطلوبة
دخول
فقدت كلمة المرور الخاصة بك؟ تذكرني
لا يوجد حساب بعد؟
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.